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碳化硅多型相变控制技术是什么?
作者:admin    发布日期:2020/5/7     关注次数:     二维码分享

昨日万先生提问了关于多型相变控制技术是什么?下面一起来认识一下:


碳化硅


碳化硅常见多型包括4H、6H、15R。15R与4H、15R与6H是晶格失配,易产生裂纹。但是,生长中包括两类问题:4H晶体生长,易出现6H、15R杂相;6H晶体生长,易出现15R杂相。


可能的机理分析:(0001)面的平面区过大,成的SiC层容易采用不同于上一层的堆叠方式,造成c方向堆叠的不延续,出现随机性。降低平面区大小,形成更多的台阶,这样至少短期内是没有新层出现,或者说减少新层同时出现的区域。


可能的应对方法:方案1.调节气氛。氮气气氛能够构筑更多的台阶;方案2.籽晶处理。(001)晶面偏4°生长。同样用于层错控制技术。


其实,这里叫做多型相变控制技术,其实是从结果出发的。


技术点有两个方向:一是关注可控的事物,一是关注结果。改变可控的事物,这就是技术;而技术展现后,实现结果。这里,也可以拆解为两个技术:气氛类型控制技术,以及籽晶方向控制技术。一般,实现一个结果需要多种技术的综合;但是,可能一个技术实现了多种需要的结果。


比如,籽晶的引入,使得Lely法升级为物理的气相输运法,开创了碳化硅单晶的工业化。不但扩大了碳化硅单晶的尺寸,也增加了碳化硅单晶的质量。

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